Vds-150 ID-720A RDS (ON) -5milliohm Qg-149nc N-Channel Power Mosfet

Product DescriptionGeneral DescriptionFSMOS®   MOSFET  is  based on Oriental Semiconductor's  unique device design to achieve  low RDS(ON) , low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. The high Vth series is specially designed to use in motor control systems with driving voltage of more than 10V .Features      Low RDS(ON) & FOM      Extremely low switching loss      Excellent reliability and uniformity      Fast switching and soft recoveryApplications      PD charger      Motor driver      Switching voltage regulator      DC-DC convertor      Switching mode power supplyKey Performance ParametersParameterValueUnitVDS150VID, pulse720ARDS(ON), max @ VGS =10V5mΩQg149nCAbsolute Maximum Ratings at Tj =25°C unless otherwise notedParameterSymbolValueUnitDrain-source voltageVDS150VGate-source voltageVGS±20VContinuous drain current1) , TC=25 °CID180APulsed drain current2) , TC=25 °CID, pulse720AContinuous diode forward current1) , TC=25 °CIS180ADiode pulsed current2) , TC=25 °CIS, pulse720APower dissipation3), TC=25 °CPD450WSingle pulsed avalanche energy5)EAS135mJOperation and storage temperatureTstg , Tj-55 to 150°CThermal CharacteristicsParameterSymbolValueUnitThermal resistance, junction-caseRθJC0.27°C/WThermal resistance, junction-ambient4)RθJA62.5°C/WElectrical Characteristics at Tj =25°C unless otherwise specifiedParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionDrain-source          breakdown voltageBVDSS150  VVGS =0 V, ID =250 μAGate thresholdvoltageVGS(th)3 4.5VVDS =VGS , ID =250 μADrain-sourceon-state resistanceRDS(ON) 45mΩVGS =10 V, ID=60 AGate-sourceleakage currentIGSS  100nAVGS =20 V  - 100VGS =-20 VDrain-sourceleakage currentIDSS  1μAVDS =120 V, VGS =0 VGate resistanceRG 1.2 Ωƒ=1 MHz, Open drainDynamic CharacteristicsParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionInput capacitanceCiss 13467 pFVGS =0 V,VDS =25 V,ƒ=100 kHzOutput capacitanceCoss 4347 pFReverse transfer capacitanceCrss 295 pFTurn-on delay timetd(on) 43 nsVGS =10 V,VDS =80 V,RG=2 Ω,ID=40 ARise timetr 37 nsTurn-off delay timetd(off) 74 nsFall timetf 26 nsGate Charge CharacteristicsParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionTotal gate chargeQg 149 nCVGS =10 V,VDS =80 V,ID=40AGate-source chargeQgs 56 nCGate-drain chargeQgd 28 nCGate plateau voltageVplateau 5.4 VBody Diode CharacteristicsParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionDiode forward voltageVSD  1.3VIS=20 A,VGS =0 VReverse recovery timetrr 130 nsVR=80 V,IS=40 A,di/dt=100 A/μsReverse recovery chargeQrr 497 nCPeak reverse recovery currentIrrm 6.2 ANote1)    Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.2)    Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.3)    Pd is based on max. junction temperature, using junction-case thermal resistance.4)    VDD=50V,VGS=10 V, L=0.3 mH, starting Tj =25 °C.  Supply ChainGreen Product Declaration/* January 22, 2024 19:08:37 */!function(){function s(e,r){var a,o={};try{e&&e.split(",").forEach(function(e,t){e&&(a=e.match(/(.*?):(.*)$/))&&1