Fast Switching UPS Energy Converter Vds-80V ID-840A Sfgmos To263 Sfg280n08kf Enhancemenn-Channel Mosfet

General DescriptionSFGMOS® MOSFET is based on Oriental Semiconductor's unique device design to achieve low RDS(ON) , low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. The high Vth series is specially optimized for high systems with gate driving voltage greater than 10V. Features      Low RDS(ON) & FOM      Extremely low switching loss      Excellent stability and uniformity      Fast switching and soft recoveryApplications      Switched mode power supply      Motor driver      Battery protection      DC-DC convertor      Solar inverter      UPS and energy inverterKey Performance Parameters  ParameterValueUnitVDS, min @ Tj(max)80VID, pulse840ARDS(ON), max @ VGS =10V2.6mΩQg148.1nCAbsolute Maximum Ratings at Tj =25°C unless otherwise noted  ParameterSymbolValueUnitDrain source voltageVDS80VGate source voltageVGS±20VContinuous drain current1) , TC=25 °CID280APulsed drain current2) , TC=25 °CID, pulse840AContinuous diode forward current1) , TC=25 °CIS280ADiode pulsed current2) , TC=25 °CIS, pulse840APower dissipation3) , TC=25 °CPD375WSingle pulsed avalanche energy5)EAS1000mJOperation and storage temperatureTstg ,Tj-55 to 150°CThermal CharacteristicsParameterSymbolValueUnitThermal resistance, junction-caseRθJC0.33°C/WThermal resistance, junction-ambient4)RθJA62°C/WElectrical Characteristics at Tj =25°C unless otherwise specified  ParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionDrain-source          breakdown voltageBVDSS80  VVGS =0 V, ID =250 pAGate thresholdvoltageVGS(th)2.0 4.0VVDS =VGS , ID =250 pADrain-sourceon-state resistanceRDS(ON) 2.42.6mQVGS =10 V, ID=20 AGate-sourceleakage currentIGSS  100nAVGS =20 V  - 100VGS =-20 VDrain-sourceleakage currentIDSS  1pAVDS =80 V, VGS =0 VNote1)    Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.2)    Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.3)    Pd is based on max. junction temperature, using junction-case thermal resistance.4)    The value of RθJA is measured with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with Ta=25 °C.5)    VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 mH, starting Tj =25 °C.Ordering InformationPackageTypeUnits/ReelReels /   Inner BoxUnits/   Inner BoxInner Boxes/ Carton BoxUnits/     Carton BoxTO263-C800180054000Product InformationProductPackagePb FreeRoHSHalogen FreeSFG280N08KFTO263yesyesyes  Supply ChainGreen Product Declaration/* January 22, 2024 19:08:37 */!function(){function s(e,r){var a,o={};try{e&&e.split(",").forEach(function(e,t){e&&(a=e.match(/(.*?):(.*)$/))&&1